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参数资料
| 型号： | FDC6303N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6303NDKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
5
150
4
I D = 0.5A
V DS = 5V
10V
100
15V
50
C iss
3
C oss
2
20
f = 1 MHz
1
10
V GS = 0V
C rss
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
5
0.1
0.5
1
2
5
10
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
5
5
Figure 8. Capacitance Characteristics .
LIM
N)
(O
RD
1m 0 s
10
10
s
0m
1
0.3
0.1
S
IT
V GS = 4.5V
DC
1s
10
m
s
s
μ
4
3
2
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
0.03
SINGLE PULSE
R θ JA = See note 1b
T A = 25°C
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA = See Note 1b
0.05
0.05
0.02
t 1
t 2
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
FDC6303N Rev.C
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