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参数资料
| 型号： | FDC6304P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 62pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6304PDKR |
Typical Electrical Characteristics
-1.5
-1.25
V GS = -4.5V
-3.5
-3.0
-2.7
2.5
2
V GS = -2.0 V
-1
-0.75
-0.5
-2.5
-2.0
1.5
1
-2.5
-2.7
-3.0
-3.5
-4.5
-0.25
-1.5
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.5
0
0.25
0.5
0.75
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
1.6
I D = -0.25A
5
25°C
125°C
I D = -0.5A
1.4
1.2
1
0.8
V GS = -2.7V
4
3
2
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
-4.5
-5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-1
-0.75
V DS = -5V
T
J
= -55°C
25°C
0.5
0.1
V GS = 0V
T J = 125°C
125°C
25°C
-0.5
-0.25
0
0.01
-55°C
-0.5
-1
-1.5 -2 -2.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
FDC6304P Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDC6304P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| FDC6305 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC6305N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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