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参数资料
| 型号： | FDC6304P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 62pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6304PDKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
5
150
4
I D = -0.25A
V DS = 5V
10V
15V
100
Cis s
50
3
C oss
2
20
1
10
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
5
Q g , GATE CHARGE (nC)
0.1
0.3
-V
0.5 1 5
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
DS
10
15
25
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
2
5
Figure 8. Capacitance Characteristics .
N)
(O
RD
LIM
1m
10
s
0m
θ J A
1
0.3
S
IT
1s
10
s
m
s
4
3
R
SINGLE PULSE
=See note 1a
T A = 25°C
0.1
2
V GS = -4.5V
T A = 25°C
0.03
SINGLE PULSE
R θ JA = See Note 1a
A
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0
0.01
0.1
1
10
100
300
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA = See Note 1b
0.05
0.05
0.02
t 1
t 2
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
FDC6304P Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDC6304P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| FDC6305 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC6305N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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