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参数资料
| 型号： | FDC6392S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 369pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6392SDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
in pad of 2 oz.
on a .004 in pad of 2 oz
a) 130 ° C/W when
mounted on a 0.125
2
copper.
b) 140°C/W when mounted
2
copper
c) 180°C/W when mounted on a
minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
FDC6392S Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6401N | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 |
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| FDC642P | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6392S_Q | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N_NL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N_Q | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:20V 70 mOhm Dual N-Ch 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
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