- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDC6392S (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC6392S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 369pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6392SDKR |
Typical Characteristics
6
2.6
5
V GS = -4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
2.4
2.2
V GS = -2.0V
4
2
1.8
3
2
-2.0V
1.6
1.4
-2.5V
1
1.2
1
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
5
6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
I D = -2.2A
V GS = -4.5V
0.35
0.3
I D = -1.1A
0.25
1.2
1
0.2
0.15
T A = 25 o C
T A = 125 o C
0.8
0.6
0.1
0.05
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
5
4
V DS = -5V
o
125 o C
25 o C
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
3
0.1
25 o C
2
1
0.01
0.001
-55 o C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC6392S Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6401N | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC640P_F095 | MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT |
| FDC6420C | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| FDC642P | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6392S_Q | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N_NL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N_Q | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6401N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:20V 70 mOhm Dual N-Ch 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。