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参数资料
| 型号： | FDC6506P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6506PDKR |
Typical Characteristics
10
8
V GS =-10V
-7.0V
2.5
-5.5V
2
V GS =-4.0V
6
4
-4.5V
-4.0V
1.5
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-7.0V
2
0
-3.5V
-3.0V
1
0.5
-10V
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.4
0.5
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.3
I D =-1.8A
V GS =-10V
I D =-1.0A
T J =125 C
0.4
1.2
1.1
0.3
1
o
25 C
0.9
0.8
0.7
0.2
0.1
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
4
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
10
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
T J =-55 C
25 C
3
V DS =-5V
o
o
1
V GS =0
T J =125 C
25 C
-55 C
2
1
0
125
o
0.1
0.01
0.001
o
o
o
1
2
3
4
5
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC6506P Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDC6506P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC653 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDC653N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC653N_F095 | 功能描述:MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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