- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDC6506P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC6506P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6506PDKR |
Typical Characteristics
(continued)
10
8
I D = -1.8A
V DS =-5.0V
300
240
f=1MHz
V GS =0V
6
4
-15V
-10V
180
120
C iss
2
0
60
0
C oss
C rss
0
1
2
3
4
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
30
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
IMI
1m
100
10
3
RD
S(O
N
)L
T
s
us
4
SINGLE PULSE
R θ JA =180°C/W
T A = 25°C
10m
0m
1s
1
0.3
0.1
0.03
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
10
DC
s
s
3
2
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0.01
0.1
1
10
100
300
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA =180°C/W
0.05
0.05
t 1
t 2
0.02
0.01
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.02
0.01
Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC6506P Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC653N | MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 |
| FDC654P | MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 |
| FDC655BN | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 |
| FDC6561AN | MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| FDC658AP | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6506P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6 |
| FDC6506P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC653 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDC653N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC653N_F095 | 功能描述:MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。