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参数资料
| 型号： | FDC654P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 298pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC654PDKR |
Typical Characteristics
15
2
12
V GS = -10V
-6.0V
V
-5.0V
-4.5V
1.8
V GS = -3.5V
1.6
9
-4.0V
1.4
-4.0V
6
-3.5V
1.2
1
-4.5V
-5.0V
-6.0V
3
-3.0V
0.8
0.6
-7.0V
-10V
0
0.4
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -3.6A
V GS = -10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.3
I D = -1.8A
0.25
0.2
T A = 125 o C
0.15
0.1
T A = 25 o C
0.05
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
10
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5.0V
T A = -55 o C
25 o C
V GS = 0V
8
6
125 o C
1
0.1
T A = 125 o C
25 o C
4
2
0
0.01
0.001
0.0001
-55 o C
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC654P Rev E1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDC655AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6 |
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