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参数资料
| 型号： | FDC654P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 298pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC654PDKR |
Typical Characteristics
10
400
8
I D = -3.6A
V DS = -5V
-10V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
-15V
300
6
200
4
C OSS
2
0
100
0
C RSS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
10 μ s
8
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
1
10ms
100ms
1ms
6
0.1
0.01
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
DC
1s
4
2
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 156 o C/W
0.2
0.1
0.1
P(pk)
0.05
t 1
t 2
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC654P Rev E1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDC654P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| FDC655AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6 |
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