- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDC6561AN (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC6561AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6561ANDKR |
Typical Electrical Characteristics
10
8
V GS =10V
6.0V
4.5V
2
1.8
6
4
4.0V
3.5V
1.6
1.4
1.2
V GS = 4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
2
3.0V
1
10V
0
0
1
2
3
4
0.8
0
2
4
6
8
10
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 2.5 A
0.3
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 1.3A
1.4
1.2
V GS = 10 V
0.25
0.2
1
0.8
0.15
0.1
T A = 125°C
T A = 25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.05
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
8
V DS = 5V
T A = -55°C
125°C
25°C
10
1
V GS = 0V
T A = 125°C
6
4
2
0.1
0.01
0.001
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5.Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC6561AN Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC658AP | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
| FDC658P | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| FDC855N | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| FDC8601 | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| FDC8602 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6561AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du |
| FDC6561AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SUPERSOT-6 |
| FDC6561AN_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6561AN-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC6561AN Series 30 V 0.095 Ohm Dual N-Ch Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
| FDC658AP | 功能描述:MOSFET -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。