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参数资料
| 型号： | FDD18N20LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 200V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1575pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
100
Figure 2. Transfer Characteristics
100
150 C
25 C
10
1
V GS = 10V
7V
5V
4.5V
4V
3.5V
3V
10
1
o
o
2. T C = 25 C
* Notes :
-55 C
1. V DS = 20V
0.1
0.01
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
0.1 1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
10
0.1
0
o
2. 250 ? s Pulse Test
2 4 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.36
0.30
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
0.24
V GS = 10V
10
o
0.18
* Note : T J = 25 C
0.4
25 C
0.12
0.06
0
1 0
V GS = 20V
20 30 4 0 5 0
I D , Drain Current [A]
o
60
1
o
Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.8
Figure 5. Capacitance Characteristics
5000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C iss
8
V DS = 50V
V DS = 100V
V DS = 160V
6
100
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C oss
4
0.1
10
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
C rss
10
30
2
0
0
* Note : I D = 16A
7 14 21 28
Q g , Total Gate Charge [nC]
35
?201 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD18N20LZ Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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