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参数资料
| 型号： | FDD18N20LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 200V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1575pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
1.05
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
2.0
1.6
1.00
1.2
0.95
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , Junction Temperature [ C ]
-80
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
0.85
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
o
0.8
0.4
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 8A
-40 0 40 80 120 160
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
30 ? s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
16
10
100 ? s
1ms
12
8
0.1
DC
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
25
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
10 ms
*Notes:
o
o
3. Single Pulse
1 10 100 1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
4
0
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
t 1
t 2
1. Z ? JC (t) = 1.4 C/W Max.
0.02
0.01
Single pulse
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
0.01 -5
10
10
10
10
10
?201 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD18N20LZ Rev. C1
-4
-3 -2
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
4
-1
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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