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参数资料
型号： FDD2572_F085
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/11页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
产品变化通告： Product Obsolescence 13/Aug/2010
产品目录绘图： DPAK, TO-252(AA)
标准包装： 2,500
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 54 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1770pF @ 25V
功率 - 最大： 135W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： D-Pak
包装： 带卷 (TR)
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
I AS
t P
BV DSS
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DS
V DD
Q g(TOT)
V DS
L
V GS = 10V
V GS
+
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 2V
I g(REF)
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs2
Q gs
Q gd
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
PULSE WIDTH
50%
V GS
Figure 19. Switching Time Test Circuit
10%
Figure 20. Switching Time Waveforms
FDD2572 _F085 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FDD2582_Q 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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