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参数资料
| 型号： | FDD3510H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK-4 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD3510HDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
20
4.0
V GS = 10V
V GS = 6V
V GS = 4.5V
3.5
V GS = 3.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
15
10
PULSE DURATION = X μ s
DUTY CYCLE = X%MAX
3.0
2.5
V GS = 4V
V GS = 4.5V
5
0
V GS = 4V
V GS = 3.5V
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = 6V
V GS = 10V
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
300
2.0
I D = 4.3A
V GS = 10V
I D = 4.3A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
200
100
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
15
10
V DS = 5V
T J = 150 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = 25 o C
5
0
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDD3510H Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3670 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| FDD3672_F085 | MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3 |
| FDD3672 | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK |
| FDD3682_F085 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3570 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3570_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3580 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3670 | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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