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参数资料
| 型号： | FDD3510H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK-4 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD3510HDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = -2.8A
1000
C iss
V DD = -40V
6
V DD = -30V
V DD = -50V
100
C oss
4
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 21. Gate Charge Characteristics
4
3
10
8
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 22. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -10V
R θ JC = 3.9 C/W
2
T J = 125 o C
T J =
25 o C
6
4
2
o
V GS = -4.5V
1
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 23. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 24. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
20000
10
10000
V GS = -10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
X – o T x
I = I 25 θ JC = -------------------
1 THIS AREA IS
100us
1ms
1000
CURRENT AS FOLLOWS:
SINGLE PULSE
R 3.9 C/W
125
LIMITED BY r ds(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10ms
100ms
100
T X = 25 o C
R θ JC = 3.9 C/W
0.1
T C = 25 o C
o
DC
10
10
10
10
10
10
0.05
1
10
100
200
10
-6
-5
-4
-3
-2
-1
1
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 25. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 26. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDD3510H Rev.C
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3670 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| FDD3672_F085 | MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3 |
| FDD3672 | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK |
| FDD3682_F085 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3570 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3570_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3580 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3670 | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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