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参数资料
| 型号： | FDD3670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2490pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
60
2
50
40
V GS = 10V
5.5V
5.0V
4.5V
1.8
1.6
V GS = 4.0V
30
1.4
20
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
5.5V 7.0V
10V
10
0
3.5V
1
0.8
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.06
2.2
2
1.8
I D = 7.3A
V GS = 10V
0.05
0.04
T A = 125 o C
I D = 3.7A
1.6
1.4
1.2
0.03
1
0.8
0.6
0.4
0.02
0.01
0
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
60
50
40
V DS = 5V
100
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
30
125 o C
0.1
25 o C
-55 o C
20
0.01
10
25 o C
T A = -55 o C
0.001
0
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDD3670 Rev C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3672_F085 | MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3 |
| FDD3672 | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK |
| FDD3682_F085 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
| FDD3690 | MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3672 | 功能描述:MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3672_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -14A, 64mΩ |
| FDD3672_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mΩ |
| FDD3672_F085 | 功能描述:MOSFET 100V NChannel UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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