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参数资料
| 型号： | FDD3670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2490pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
4500
8
I D = 7.3A
V DS = 20V
80V
50V
4000
3500
f = 1MHz
V GS = 0 V
3000
6
4
2
0
2500
2000
1500
1000
500
0
C ISS
C OSS
C RSS
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
200
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10000
100
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10 μ s
100 μ s
1 ms
1000
SINGLE PULSE
R θ JC = 1.8 o C/W
T C = 25 o C
T C = 25 C
R θ JC = 1.8 o C/W
o
CURVE BENT TO
MEASURED DATA
10 ms
DC
100
10
10
10
10
0.1
1
10
100
200
50 -5
10
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P DM
t 1
t 2
R θ JC = 1.8 C/W
0.01
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
0.005
-5
-4
-3
-2
-1
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve
FDD3670 Rev C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3672_F085 | MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3 |
| FDD3672 | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK |
| FDD3682_F085 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
| FDD3690 | MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3672 | 功能描述:MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3672_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -14A, 64mΩ |
| FDD3672_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mΩ |
| FDD3672_F085 | 功能描述:MOSFET 100V NChannel UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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