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参数资料
| 型号： | FDD4141 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
| 产品变化通告： | Dpak Pkg Change 01/Apr/2008 |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2775pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD4141DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = -12.7A
V DD = -15V
10000
C iss
6
4
V DD = -10V
V DD = -20V
1000
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
8
16
24
32
40
100
0.1
1
10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
10
60
50
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -4.5V
V GS = -10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
30
Limited by Package
R θ JC = 1.8 C/W
20
10
o
1
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
100
V GS = -10V
FOR TEMPERATURES
o C SINGLE PEAK
ABOVE 25 DERATE PULSE
CURRENT R AS FOLLOWS:
= 1.8 C/W
C
I = I 25
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100us
1ms
10ms
1000
o
θ JC
150 – T
------------------------
125
T C = 25 o C
T J = MAX RATED
R θ JC = 1.8 o C/W
T C = 25 o C
DC
100
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
50
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD4141 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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