参数资料
型号: FDD4141
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
产品变化通告: Dpak Pkg Change 01/Apr/2008
产品目录绘图: DPAK, TO-252(AA)
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2775pF @ 20V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252
包装: 标准包装
产品目录页面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDD4141DKR
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
R θ JC = 1.8 C/W
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
o
P DM
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD4141 Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
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