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参数资料
| 型号： | FDD4243_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 44 毫欧 @ 6.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1550pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
60
3.5
V GS = -3.0V
50
40
30
V GS = -10V
V GS = - 6V
V GS = -5V
V GS = -4.5V
V GS = -4V
3.0
2.5
2.0
V GS = -4V
V GS = -4.5V
V GS = -5V
V GS = -6V
PULSE DURATION = 80 μ s
20
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.5
10
V GS = - 3.0V
1.0
V GS = -10V
PULSE DURATION = 80 μ s
0
0
1 2 3 4
5
0.5
0
10
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
20 30 40 50
60
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
120
1.6
1.4
1.2
I D = -6.7A
V GS = -10V
100
80
I D = -6.7A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 125 o C
60
1.0
0.8
40
T J = 25 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
20
2
3 4 5 6 7 8 9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
60
PULSE DURATION = 80 μ s
30
V GS = 0V
50
40
30
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
10
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2 3 4 5
6
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
- V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDD4243 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDD45AN06LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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