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参数资料
| 型号： | FDD4243_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 44 毫欧 @ 6.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1550pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = -6.7A
3000
8
6
4
V DD = -10V
V DD = -20V
V DD = -30V
1000
C iss
C oss
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
4
8
12
16
20
24
50
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
8
25
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
6
20
V GS = -10V
4
T J = 25 o C
15
10
Limited by Package
2
T J = 125 o C
5
V GS = -4.5V
R θ JC = 3.0 C/W
o
1
0.01
0.1 1
10
30
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
FOR TEMPERATURES
100us
V GS = -10V
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T C
10
1
1ms
10ms
1000
I = I 25
----------------------
125
T C = 25 o C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
100ms
100
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
0.1
0.5
LIMITED BY r DS(on) TC = 25 O C
1 10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
100
30
-5
-4
-3 -2 -1
t, PULSE WIDTH (s)
0
1
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDD4243 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD45AN06LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD45AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4685 | 功能描述:MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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