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参数资料
| 型号： | FDD5612 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 5.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD5612DKR |
Typical Characteristics
30
V GS = 10V
6.0V
5.0V
2.2
25
2
V GS = 4.0V
20
4.5V
1.8
1.6
15
1.4
4.5V
5.0V
10
5
0
4.0V
1.2
1
0.8
6.0V
10V
0
1
2
3
4
5
0
6
12
18
24
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.6
I D = 5.4A
0.12
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 2.7A
2.2
1.8
V GS = 10V
0.1
T A = 125 o C
0.08
1.4
0.06
1
0.6
0.2
0.04
0.02
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
25 C
30
25
V DS = 5V
T A =-55 o C
125 o C
o
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
20
25 o C
0.1
15
-55 o C
10
5
0.01
0.001
0
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDD5612 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5614P | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK |
| FDD5670 | MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK |
| FDD5680 | MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK |
| FDD5690 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
| FDD5N50NZFTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD5614P | 功能描述:MOSFET 60V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| FDD5614P_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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