- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD5612 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD5612 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 5.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD5612DKR |
Typical Characteristics
10
1000
8
I D = 5.4A
V DS = 20V
40V
30V
800
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
600
400
2
0
200
0
C RSS
C OSS
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
80
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
100
10
R DS(ON) LIMIT
1m
10ms
100ms
1s
100μs
60
40
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
1
V GS = 4.5V
SINGLE PULSE
DC
10s
20
0.1
0.01
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD5612 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5614P | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK |
| FDD5670 | MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK |
| FDD5680 | MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK |
| FDD5690 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
| FDD5N50NZFTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD5614P | 功能描述:MOSFET 60V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| FDD5614P_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。