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参数资料
| 型号： | FDD8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1970pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8447LDKR |
Typical Characteristics
100
80
60
V GS = 10V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3
2.6
2.2
V GS = 3.0V
3.5V
1.8
40
20
3.0V
1.4
1
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10.0V
0
0
0.5
1 1.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
2.5
0.6
0
20
40 60
I D , DRAIN CURRENT (A)
80
100
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 14A
V GS = 10V
0.02
0.0175
I D = 7A
0.015
T A = 125 C
1.2
1
0.0125
o
T A = 25 C
0.8
0.01
0.0075
o
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.6
-50
-25
o
125
150
0.005
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
80
60
V DS = 5V
1000
100
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
T A = 125 C
-55 C
25 C
40
20
o
o
0.1
0.01
0.001
o
-55 o C
25 C
0
o
0.0001
1
1.5
2 2.5 3 3.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD8447L Rev.C 3
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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