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参数资料
| 型号： | FDD8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1970pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8447LDKR |
Typical Characteristics
10
8
6
I D = 14A
V DS = 10V
20V
30V
3000
2500
2000
C iss
f = 1MHz
V GS = 0 V
1500
4
1000
2
0
500
0
C rss
C oss
0
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
30
40
0
10 20 30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
40
1000
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
Figure 8. Capacitance Characteristics
100
R DS(ON) LIMIT
100μs
80
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
1ms
R θ JA = 96 C/W
T A = 25 C
10
1
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
o
DC
1s
10ms
100ms
60
40
20
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , TIME (sec)
10
100
1000
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
T J = 25 C
80
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
o
60
10
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t 1 , TIME (sec)
10
100
1000
1
0.1
1
t AV , TIME IN AVANCHE(ms)
10
Figure 11. Single Pulse Maximum Peak
Current
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Capability
FDD8447L Rev.C 3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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