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参数资料
| 型号： | FDD8770 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3720pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8770DKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
B VDSS
? B VDSS
? T J
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to
25°C
25
13.6
V
mV/° C
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 20V,
V GS = 0V
V GS = ±20V
T J = 150 ° C
1
250
±100
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to
25°C
1.2
1.6
-5.9
2.5
V
mV/°C
V GS = 10V, I D = 35A
3.3
4.0
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 4.5V, I D = 35A
V GS = 10V, I D = 35A
T J = 175°C
4.0
4.8
5.5
5.9
m ?
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 13V, V GS = 0V,
f = 1MHz
f = 1MHz
2795
685
450
1.5
3720
915
675
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
V DD = 13V, I D = 35A
V GS = 10V, R GS = 5 ?
10
12
49
25
20
22
78
40
ns
ns
ns
ns
Q g
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller”Charge
V GS = 0V to 10V
V GS = 0V to 5V
V DD = 13V
I D = 35A
I g = 1.0mA
52
29
8.1
11
73
41
nC
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0V, I S = 35A
V GS = 0V, I S = 15A
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
0.84
0.79
32
25
1.25
1.0
48
38
V
ns
nC
Notes:
1: Pulse time < 300 μ s, Duty cycle = 2%.
2: Starting T J = 25 o C, L = 0.3 m H, I AS = 27.5A ,V DD = 23V, V GS = 10V.
FDD8770/FDU8770 Rev. A
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD8780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDD8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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