- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录418 > FDD8770 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD8770 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3720pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8770DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
120
4
100
80
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 3.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3V
3
V GS = 3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3.5V
60
40
20
2
1
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0
0
1 2 3
4
0
0
20
40 60 80
100
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
12
1.6
I D = 35A
V GS = 10V
10
I D = 35A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
8
1.2
1.0
0.8
6
4
T J = 175 o C
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
2
2
T J = 25 o C
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
120
PULSE DURATION = 80 μ s
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
100
V GS = 0V
100
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
80
T J = 175 o C
1
T J = 175 o C
T J = 25 o C
60
0.1
40
20
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
FDD8770/FDU8770 Rev. A
3
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8780 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA |
| FDD8880 | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK |
| FDD8N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDFM2N111 | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| FDFM2P110 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8778 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8782 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8796 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。