- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录418 > FDD8770 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD8770 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3720pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8770DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
6000
C iss
8
6
4
V DD = 10V
V DD = 13V
V DD = 16V
1000
C oss
C rss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
0
0
10
20
30
40
50
60
100 0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
T J = 25 o C
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
250
200
R θ JC = 1.3 C/W
10
T J = 150 o C
T J = 125 o C
150
100
50
o
V GS = 4.5V
V GS = 10V
1
0.01
0.1 1 10
100 300
0
25
50 75 100 125 150
175
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
T C , CASE TEMPERATURE( o C)
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
600
10us
20000
10000
V GS = 10V
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
100
100us
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175 – T C
10
LIMITED BY
1ms
1000
I = I 25
-----------------------
150
10
10
10
10
10
10
10
1
0.1
1
PACKAGE
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
10
10ms
DC
50
100
SINGLE PULSE
-5 -4 -3
-2
-1
0
1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
FDD8770/FDU8770 Rev. A
4
t , PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8780 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA |
| FDD8880 | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK |
| FDD8N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDFM2N111 | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| FDFM2P110 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8778 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8782 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8796 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。