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参数资料
| 型号： | FDFM2P110 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
V GS = -4.5V
-3.5V
2.4
8
-3.0V
2.2
2
V GS = -2.5V
6
-2.5V
1.8
1.6
4
1.4
-3.0V
2
-2.0V
1.2
-3.5V
-4.0V
-4.5V
1
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = -3.5A
V GS = -4.5V
0.44
0.4
0.36
I D = -1.8A
0.32
1.2
1
0.8
0.6
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
6
4
V DS = -5V
T A = -55 o C
125 o C
25 o C
10
1
0.1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
-55 C
2
0.01
0.001
o
0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
4
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDFM2P110 Rev. C4 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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