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参数资料
| 型号： | FDFMA2N028Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2N028ZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Notes:
1: R θ JA is determined with the device mounted on a 1in 2 pad 2 oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ JA is determined
by the user's board design.
(a) MOSFET R θ JA = 86 o C/W when mounted on a 1in 2 pad of 2 oz copper, 1.5” x 1.5” x 0.062” thick PCB.
(b) MOSFET R θ JA = 173 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.
(c) Schottky R θ JA = 86 o C/W when mounted on a 1in 2 pad of 2 oz copper, 1.5” x 1.5” x 0.062” thick PCB.
(d) Schottky R θ JA = 140 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.
a)86 o C/W
when mounted
on a 1in 2 pad of
2 oz copper.
b)173 o C/W
when mounted
on a minimum
pad of 2 oz
copper.
c)86 o C/W when
mounted on a
1in 2 pad of 2 oz
copper.
d)140 o C/W
when mounted
on a minimum
pad of 2 oz
copper.
2: Pulse Test: Pulse Width < 30 0 μ s, Duty cycle < 2.0%.
3 . The diode connected between the gate and source serves only protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.
FDFMA2N028Z Rev. B1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDFMA2P853_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode |
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