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参数资料
| 型号： | FDG332PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG332PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
3.0
1.5
I D = -2.6A
V DD = -5V
V DD = -10V
V DD = -15V
1000
100
C iss
C oss
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0.0
0
2
4
6
8
30
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
10
100us
5
4
V GS = 0V
10
3
10
10
10
10
R
JA = 260 C/W
10
10
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
2
1
0
-1
-2
-3
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
0.01
0.1
1
10
50
-4
0
5
10
15
20
100
10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
V GS = -4.5V
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
SINGLE PULSE
JA = 260 C/W
R
o
T A = 25 C
o
1
10
10
10
10
10
10
10
0.1
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11.
Transient Thermal Response Curve
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG332PZ Rev.B1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
| FDG6301N_F085 | MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6 |
| FDG6303N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6304P_D87Z | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG361N | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Specified 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FD-G4 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
| FD-G4 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM4 DIF. COAXIAL 2M FREE-CU |
| FD-G40 | 制造商:PANASONIC ELECTRIC WORKS - ACSD 功能描述:METAL-FREE FIBER M4 COAX REFLECT 制造商:PANASONIC INDUSTRIAL AUTOMATION SALES 功能描述:METAL-FREE FIBER M4 COAX REFLECT 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 140MM; Fiber Optic Sensor Type:Reflective; Sensing Range Max:140mm; Sensing Range:0mm to 140mm |
| FDG410NZ | 功能描述:MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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