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参数资料
| 型号： | FDG410NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 535pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 380mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG410NZ Rev . B
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDG6301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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