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参数资料
| 型号： | FDG6304P_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 62pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics
1.2
V GS =-4.5V -3.0V
-2.7V
2.5
0.9
-2.5V
2
V GS = -2.0V
0.6
-2.0V
1.5
-2.5V
-2.7V
-3.0V
-3.5V
0.3
-1.5V
1
-4.5V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -0.41A
5
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -0.2A
1.4
1.2
1
0.8
V GS = -4.5V
4
3
2
1
T J = 125 ° C
25° C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
1
2 3 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
V DS = -5V
T J = -55°C
1
V GS = 0V
0.8
25°C
125°C
0.1
T J = 125°C
25°C
0.6
0.4
0.2
0.01
0.001
-55°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDG6304P Rev.E1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6306P | MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6 |
| FDG6308P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6316P | MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6 |
| FDG6317NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6306P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6306P_D87Z | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6306P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6308 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDG6308P | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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