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参数资料
| 型号： | FDG6304P_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 62pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics
5
4
3
I D = -0.41A
V DS = -5V
-15V
-10V
200
80
30
Cis s
C oss
2
1
10
5
f = 1 MHz
V GS = 0 V
Crs s
0
0
0.4
0.8
Q g , GATE CHARGE (nC)
1.2
1.6
3
0.1
0.3 1 2 5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
25
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
3
50
Figure 8. Capacitance Characteristics.
ms
0m
1
0.5
RD
S
(O
N)
LI
MI
T
10
10
s
1m
s
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =415°C/W
T A = 25°C
1s
0.1
0.05
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
10
DC
s
20
10
R θ JA = 415°C
0.01
0.1
A
T A = 25°C
0.2 0.5
1
2
5
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =415 °C/W
0.02
0.02
0.01
t 1
t 2
0.01
0.005
0.002
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
200
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1.
Transient thermalresponse will change depending on the circuit board design.
FDG6304P Rev.E1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDG6306P_D87Z | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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