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参数资料
| 型号： | FDG6317NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDG6317NZ-ND FDG6317NZTR |
Typical Characteristics
2
1.5
V GS = 10V
4.5V
2.0V
3.0V
2.5V
1.7
1.5
V GS = 2.5V
1
1.3
3.0V
3.5V
0.5
2.0V
1.1
4.0V
4.5V
6.0V
10V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.9
0
0.5
1
1.5
2
1.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
I D = 0.7A
V GS =10V
0.8
0.6
0.4
T A = 25 o C
T A = 125 o C
I D = 0.35A
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.7
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0.2
0
2
4 6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
8
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = 125 C
2
1.5
V DS = 5V
o
25 o C
-55 o C
10
1
0.1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 C
1
0.5
0.01
0.001
o
-55 o C
0
0
1 2 3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FD G6317NZ Rev . B 1 (W)
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6318PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6318P | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6318PZ | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDG6320C_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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