- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录418 > FDG6317NZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDG6317NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDG6317NZ-ND FDG6317NZTR |
Typical Characteristics
5
100
4
I D = 0.7A
V DS = 5V
15V
75
f = 1MHz
V GS = 0 V
3
2
1
10V
50
25
C rss
C oss
C iss
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
1
R DS(ON) LIMIT
1s
1ms
10ms
100m
100 μ s
10
8
6
SINGLE PULSE
R θ JA = 415°C/W
T A = 25°C
0.1
DC
T A = 25 C
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 o C/W
o
4
2
0.001
0.1
1
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
D = 0.5
0.2
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
R θ JA (t) = r(t)*R θ JA
R θ JA = 415°C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FD G6317NZ Rev . B 1 (W)
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6318PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6322C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6318P | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6318PZ | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6320C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:25V 1/2 BR N/P 4/10 O SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。