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参数资料
| 型号： | FDG6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6321CDKR |
Electrical Characteristics ( T A = 25 O C unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μA
N-Ch
25
V
V GS = 0 V, I D = -250 μA
P-Ch
-25
? BV DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
26
mV/ o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 o C
P-Ch
-22
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 20 V, V GS = 0 V
N-Ch
1
μA
T J = 55°C
10
I GSS
Gate - Body Leakage Current
V DS = -20 V, V GS = 0 V
P-Ch
-1
μA
T J = 55°C
-10
I GSS
Gate - Body Leakage Current
V GS = 8 V, V DS = 0 V
V GS = -8 V, V DS = 0 V
N-Ch
P-Ch
100
-100
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
N-Ch
0.65
0.8
1.5
V
V DS = V GS , I D = -250 μA
P-Ch
-0.65
-0.82
-1.5
? V GS(th) / ? T J
Gate Threshold Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
-2.6
mV/ o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 C
o
P-Ch
2.1
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 0.5 A
N-Ch
0.34
0.45
?
V GS = 2.7 V, I D = 0.2 A
T J =125°C
0.55
0.44
0.72
0.6
V GS = -4.5 V, I D = -0.41 A
V GS = -2.7 V, I D = -0.25 A
T J =125°C
P-Ch
0.85
1.2
1.15
1.1
1.8
1.5
I D(ON)
On-State Drain Current
V GS = 4.5 V, V DS = 5 V
N-Ch
0.5
A
V GS = -4.5 V, V DS = -5 V
P-Ch
-0.41
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 0.5 A
N-Ch
1.45
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
V DS = -5 V, I D = -0.41 A
P-Ch
0.9
C iss
Input Capacitance
N-Channel
N-Ch
50
pF
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
P-Ch
62
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
f = 1.0 MHz
P-Channel
V DS = -10 V, V GS = 0V,
f = 1.0 MHz
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
28
34
9
10
FDG6321C Rev. D
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参数描述 |
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| FDG6321C_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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