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参数资料
| 型号： | FDG6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6321CDKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel (continued)
5
I D = 0.5A
V DS = 5V
200
4
10V
15V
70
C iss
3
30
C oss
2
10
1
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
3
0.1
0.3
1
2
5
10
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
3
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
N)
(O
RD
LIM
1 0 m
0m
1
0.5
S
IT
10
s
1m
s
s
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =415°C/W
T A = 25°C
0.2
1s
0.1
0.05
0.02
V GS = 4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 °C/W
T A = 25°C
10
DC
s
20
10
0.01
0.1
1
2
5
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
V
DS
, DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
FDG6321C Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG6321C_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6322C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6322C_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel Digital FET |
| FDG6322C_D87Z | 功能描述:MOSFET Dual N&P Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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