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参数资料
| 型号： | FDG6332C_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA，600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 113pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG6332C_F085DKR FDG6332C_F085DKR-ND FDG6332C_F085FSDKR |
Typical Characteristics: N-Channel
5
200
4
I D = 0.7A
V DS = 5V
15V
10V
150
f = 1MHz
V GS = 0 V
C ISS
3
100
2
C OSS
50
1
C RSS
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
5
10
15
20
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
1
R DS(ON) LIMIT
10ms
100 μ s
1ms
8
6
R θ JA = 415°C/W
T A = 25°C
100ms
0.1
0.01
V GS = 4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 o C/W
T A = 25 o C
DC
1s
4
2
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDG6332C_F085 Rev C2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6332C | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| FDG6335N | MOSFET N-CH 20V 700MA SOT-363 |
| FDG8842CZ | MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6 |
| FDG8850NZ | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 |
| FDH038AN08A1 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6335N | 功能描述:MOSFET FDG6335N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6335N_Q | 功能描述:MOSFET FDG6335N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6342L | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Integ Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG8842CZ | 功能描述:MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG8850NZ | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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