- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDH038AN08A1 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDH038AN08A1 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8665pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
October 2013
FDH038AN08A1
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
75 V, 80 A, 3.8 m Ω
Features
? R DS(ON) = 3.5 m ? (Typ.), V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q g (tot) = 125 nC (Typ.), V GS = 10 V
? Low Miller Charge
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PS U
? Battery Protection Circui t
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 690
D
G
D
S
TO-247
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter r
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 158 o C, V GS = 10V)
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, with R θ JA = 30 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDH038AN08A 1
75
± 20
80
22
Figure 4
1.17
450
3.0
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
J
W
W/ o C
o C
Thermal Characteristics
C/W
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max. TO-247
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-247
0. 33
30
o
o C/W
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH038AN08A1 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH055N15A | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
| FDH3632 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH038AN08A1_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH040C48/BK | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZFLDH3,400W,M.H.,480V,BALST KIT |
| FDH047AN08A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH055N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH1000 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。