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参数资料
| 型号： | FDH038AN08A1 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8665pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
280
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
240
200
160
120
80
40
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
0
0
2 5
50 75 100 125
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
150
175
0
25
V GS = 10V
50
75 100 125
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
150
175
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
R θ JA =30 o C/W
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3 10 -2 10 -1
t , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10 0
10 1
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
3000
1000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
50
V GS = 10V
I = I 25
175 - T C
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
t, PULSE WIDTH (s)
10 -1
10 0
10 1
Figure 4. Peak Current Capability
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH038AN08A1 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH055N15A | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
| FDH3632 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH038AN08A1_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH040C48/BK | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZFLDH3,400W,M.H.,480V,BALST KIT |
| FDH047AN08A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH055N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH1000 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes |
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