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参数资料
| 型号： | FDH038AN08A1 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8665pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
SABER Electrical Model
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=0.5,voff=-0.5)
c.ca n12 n8 = 1.0e-9
c.cb n15 n14 = 3.1e-9
c.cin n6 n8 = 8.22e-9
RSLC1
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
REVJanuary2003
template FDH038AN08A1 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=2.4e-11,nl=1.02,rs=1.65e-3,trs1=3.2e-3,trs2=2.0e-7,cjo=6.0e-9,m=5.6e-1,tt=2.38e-8,xti=3.9)
dp..model dbreakmod = (rs=1.5e-1,trs1=1.0e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=1.5e-9,isl=10e-30,nl=10,m=0.47)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.2,kp=1.5,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=3.95,kp=235,is=1.0e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=2.73,kp=0.02,is=1.0e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4,voff=-1.5)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.5,voff=-4)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-0.5,voff=0.5)
LDRAIN
DPLCAP 5
10
RLDRAIN
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod 51
RSLC2
ISCL
DRAIN
2
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
ESG
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
GATE RGATE + 18 - 6
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1 1
9
20
i.it n8 n17 = 1
15
13
14
res.rlgate n1 n9 = 48.1
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 46.3
CA
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u 6
8
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
50
11
21
MMED
+
8
spe.esgn6n10n6n8= 1 + 19 -
LGATE EVTEMP 8
RLGATE
l.lgate n1 n9 = 4.81e-9
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 4.63e-9
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u + +
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=1.05e-3,tc2=-9.0e-7
res.rdrain n50 n16 = 2.0e-4, tc1=1.8e-2,tc2=2.2e-4
res.rgate n9 n20 = 20
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=2.0e-3,tc2=1.0e-5
res.rslc2 n5 n50 = 1.0e3
res.rsource n8 n7 = 2.6e-3, tc1=5.0e-3,tc2=1.0e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-4.2e-3,tc2=-1.8e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-4.5e-3,tc2=2.0e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
1 2
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 84.9 -
6
8
22
S1A S2A
S1B S2B
13 CB
EGS EDS
8 13
- -
+ EVTHRES
CIN
5
8
RDRAIN
16
MSTRO 17
DBREAK
MWEAK
EBREAK
18
-
7
RSOURCE
RBREAK
17
14 IT
8
RVTHRES
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
SOURCE
3
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/300))** 10))
}
}
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH038AN08A1 Rev. C2
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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