- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDH038AN08A1 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDH038AN08A1 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8665pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
PSPICE Electrical Model
It 8 17 1
9
20
13
ESLC
21
.SUBCKTFDH038AN08A1213;
CA 12 8 1.0e-9
Cb 15 14 3.1e-9
Cin 6 8 8.22e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 84.9
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
GATE
1
Lgate 1 9 4.81e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 4.63e-9
RLgate 1 9 48.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 46.3
rev January 2003
ESG
LGATE EVTEMP
RGATE + 18 -
22
RLGATE
S1A
1 2
8
-
+
6
8
DPLCAP
10
RSLC2
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
5
RSLC1
51
5
51
50
RDRAIN
16
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
RSOURCE
RBREAK
17
LDRAIN
RLDRAIN
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
DRAIN
2
SOURCE
3
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.0e-4
Rgate 9 20 20
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*300),10))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.4E-11 N=1.02 RS=1.65e-3 TRS1=3.2e-3 TRS2=2.0e-7
+ CJO=6.0e-9 M=5.6e-1 TT=2.38e-8 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.5e-1 TRS1=1.0e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.5e-9 IS=1.0e-30 N=10 M=0.47)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.2 KP=1.5 IS=1.0e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=20)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=3.95 KP=235 IS=1.0e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.73 KP=0.02 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=200 RS=.01)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.05e-3 TC2=-9.0e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.8e-2 TC2=2.2e-4)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.0e-3 TC2=1.0e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=5.0e-3 TC2=1.0e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.2e-3 TC2=-1.8e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4.5e-3 TC2=2.0e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-1.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-0.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. FrankWheatley.
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH038AN08A1 Rev. C2
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH055N15A | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
| FDH3632 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH038AN08A1_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH040C48/BK | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZFLDH3,400W,M.H.,480V,BALST KIT |
| FDH047AN08A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH055N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH1000 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。