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参数资料
| 型号： | FDH3632 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDH3632-ND FDH3632FS |
October 2013
FDH3632 / FDP3632 / FDB3632
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 80 A, 9 m Ω
Features
? R DS(ON) = 7.5 m ? (Typ.), V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q g (tot) = 84 nC (Typ.), V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Synchronous Rectificatio n
? Battery Protection Circui t
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverte r
? R oH S Compliant
D
D
GD
G
D
S
TO-247
S
TO-220
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Continuous (T amb = 25 C, V GS = 10V, R θ JA = 43 C/W)
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 111 o C, V GS = 10V)
o o
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FD H 3632 / F DP3632 /
FD B 3632
100
± 20
80
12
Figure 4
337
310
2.07
-55 to 175
Unit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case, Max. TO-220, D 2 -PAK , TO-247
0.48
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-220 (Note 2)
62
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient D 2 -PAK , Max. 1in 2 copper pad area
43
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-247 (Note 2)
30
o C/W
? 200 4 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH3632 / FDP3632 / FDB3632 Rev. C 5
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH5500_F085 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| FDI030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH3632 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 80A, TO-247 |
| FDH400 | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FDH400 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RECT DIODE 0.2A150V DO35; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:150V; Forward Current If(AV):200mA; Forward Voltage VF Max:1.1V; Reverse Recovery Time trr Max:50ns ;RoHS Compliant: Yes |
| FDH400 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SIGNAL DIODE 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE 200V 200mA DO-35 |
| FDH400_97 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage General Purpose Diode |
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