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参数资料
| 型号： | FDH038AN08A1 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8665pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
SPICE Thermal Model
REV 23 January 2003
FDH038AN08A1T
th
JUNCTION
CTHERM1 TH 6 5.5e-3
CTHERM2 6 5 6.0e-3
CTHERM3 5 4 7.4e-3
CTHERM4 4 3 7.65e-3
CTHERM5 3 2 5.85e-2
CTHERM6 2 TL 6.0e-1
RTHERM1 TH 6 9.0e-3
RTHERM2 6 5 2.08e-2
RTHERM3 5 4 2.28e-2
RTHERM4 4 3 7.0e-2
RTHERM5 3 2 7.5e-2
RTHERM6 2 TL 8.5e-2
RTHERM1
RTHERM2
6
CTHERM1
CTHERM2
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDH038AN08A1T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =5.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =6.0e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =7.4e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =7.65e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =5.85e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =6.0e-1
rtherm.rtherm1 th 6 =9.0e-3
rtherm.rtherm2 6 5 =2.08e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =2.28e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =7.0e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =7.5e-2
rtherm.rtherm6 2 tl =8.5e-2
}
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH038AN08A1 Rev. C2
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH055N15A | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
| FDH3632 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH038AN08A1_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDH055N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH1000 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes |
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