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参数资料
| 型号： | FDG6332C_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA，600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 113pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG6332C_F085DKR FDG6332C_F085DKR-ND FDG6332C_F085FSDKR |
Typical Characteristics: P-Channel
2
1.6
V GS = -4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
1.8
1.6
V GS = -2.5V
1.2
1.4
-3.0V
0.8
1.2
-3.5V
0.4
-2.0V
1
-4.0V
-4.5V
0
0.8
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
1.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.2
1.3
I D = -0.6A
V GS = -4.5V
1
I D = -0.3 A
1.2
T A = 125 C
1.1
1
0.9
0.8
0.6
T A = 25 o C
o
0.4
0.8
0.7
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
125 C
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
o
1
V GS = 0V
T A = 125 C
1.5
o
0.1
25 C
1
0.01
o
-55 o C
0.5
0
0.001
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDG6332C_F085 Rev C2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6332C | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6335N | 功能描述:MOSFET FDG6335N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6335N_Q | 功能描述:MOSFET FDG6335N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6342L | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Integ Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG8842CZ | 功能描述:MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG8850NZ | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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