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参数资料
| 型号： | FDH055N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 156A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.9 毫欧 @ 120A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9445pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 429W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
1.05
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.8
2.4
2.0
1.6
1.00
1.2
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.95
0.90
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.8
0.4
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 120A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
10 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
180
100
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1ms
10ms
DC
135
90
V GS = 10V
1. T C = 25 C
0.1
*Notes:
o
45
Limited by package
2. T J = 175 C
T C , Case Temperature [ C]
0.01
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
200
0
25
R θ JC = 0.35 o C/W
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
8
6
4
2
0
0
30 60 90 120
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
150
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH055N15A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH3632 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH5500_F085 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH1000 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes |
| FDH1005 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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