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参数资料
| 型号： | FDI045N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 263W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3（直引线） |
| 供应商设备封装： | TO-262-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
6.5V
6.0V
500
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
5.5V
175 C
25 C
100
5.0V
o
o
-55 C
10
o
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 C
10
0.1
o
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
2
1
1
2 3 4 5
V GS , Gate-Source Voltage[V]
6
175 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
4.5
V GS = 10V
4.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
o
25 C
3.5
V GS = 20V
10
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
3.0
0
100 200 300 400
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
C iss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
8
V DS = 20V
V DS = 50V
V DS = 80V
C oss
6
100
*Note:
1. V GS = 0V
C rss
4
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
2
Crss = Cgd
10
0.1
1 10
100
0
0
10
*Note: I D = 100A
20 30 40 50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP045N10A / FDI045N10A Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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