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参数资料
| 型号： | FDI045N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 263W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3（直引线） |
| 供应商设备封装： | TO-262-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
1.05
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2.0
1.5
1.00
1.0
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 100A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
175
30 μ s
150
V GS = 10V
100
100 μ s
125
100
10
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1ms
10ms
75
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 0.57 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.1
DC
o
o
3. Single Pulse
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100 200
50
25
0
25
o
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Sourece Voltage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
STARTING T J = 25 C
STARTING T J = 150 C
5
4
3
2
1
50
10
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
o
o
0
0
25 50 75
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
100
1
0.01
0.1 1 10 100
t AV , Time In Avalanche [ms]
1000
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP045N10A / FDI045N10A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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