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参数资料
| 型号： | FDMA3023PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA3023PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
4
I D = -2.9 A
1000
3
V DD = -10 V
V DD = -15 V
C iss
2
V DD = -20 V
100
C oss
1
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
2
4
6
8
10
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
-2
10
THIS AREA IS
10
10
10
-3
-4
-5
V GS = 0 V
T J = 125 o C
1
LIMITED BY r DS(on)
1 ms
10 ms
100 ms
10
10
10
T A = 25 C
-6
-7
-8
T J = 25 o C
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 173 o C/W
o
1s
10 s
DC
10
-9
0
3
6
9
12
15
0.01
0.01
0.1 1 10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
100 200
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage vs Gate to Source Voltage
200
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
100
V GS = -4.5 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
10
1
10
10
10
0.5
-3
-2
-1
1
10
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA3023PZ Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA3028N | MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET |
| FDMA410NZ | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET |
| FDMA420NZ | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET |
| FDMA430NZ | MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET |
| FDMA507PZ | MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA3027PZ | 功能描述:MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA3028N | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA410NZ | 功能描述:MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA420NZ | 功能描述:MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA420NZ_0609 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30mз |
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